1. Nimetada ja selgitada kõigi nelja
kvantarvu seoseid aatomorbitaalide omaduste ja suhteliste energiatega.
- Peakvantarv n määrab ära energiataset, kuhu
elektron kuulub (mitmenda täidetud kihiga tegemist on). (See oli Jaana
Tammiku –Tauli vastus)
- Peakvantarv (n) määrab ära elektronkihi,
milles elektron asub. Peakvantarvu omab täisarvulisi väärtusi 1, 2, 3 jne.
Mida suurem on n, seda suurem on elektroni keskmine kaugus tuumast ja seda
suurem seega orbitaal. (Mida suurem on orbitaal seda kõrgem on selle
orbitaali energia).
- Orbitaalkvantarv kvantarv (l) määrab alamelektronkihi (s, p, d, f),
millel elektron asub ja vastava lainefunktsiooni ruumilise kuju. L-i
väärtused on täisarvud vahemikus 0- (n-1). Kui n=1 siis l saab olla vaid
0; kui n=2, siis l saab olla 0 või 1 jne. L-i väärtusi tähistatakse
tavaliselt tähtedega 0 – s ; 1 – p ; 2 – d ; 3 – f ; 4 – g;
- Orbitaalkvantarv l määrab ära energeetilise
alanivoo selle põhikihi sees, kuhuelektron kuulub. Teisiti öeldes
orbitaali (elektronpilve) kuju. (J.T.-T. Vastus)
Seega, kui l=0, siis on
tegemist s-orbitaaliga jne.
N ja l määravad ära
orbitaalide energiatasemed: n – põhinivoo ja l – alamtasemed.
- Magnetiline kvantarv (ml) määrab
ära orbitaali ruumilise orientatsiooni. Ning määrab ära orbitaalide arvu
antud energia alamtasemel. Magnetkvantarv sõltub l-i väärtusest. Igale l-i
väärtusele vastab (2l +1) täisarvulist ml-i väärtust. { Magnetilise
kvantarvu võimalikud väärtused on täisarvud -l ja l vahel (piirid kaasa arvatud).
Näiteks kui elektron on orbitaalil d (l = 2), siis tema ml võib olla kas
-2, -1, 0, 1 või 2.}
- Spinn (ms) tõttu võib igal
orbitaalil olla korraga kuni kaks elektroni. Elektroni spinn võib olla kas
-½ või ½. Kuigi spinn võeti alguses kasutusel "abistava"
kvantarvuna, et põhjendada kahe elektroni viibimist samas energeetilises
olekus, siis põhjalikum uurimistöö näitas, et spinn on täiesti reaalne
igat elemetaarosakest iseloomustav kvantarv (vt. allpool). (Spinn
iseloomustab konkreetset elektroni ja tema pöörlemist ümber oma telje,
samal obritaalil võib olla maksimaalselt kaks erineva spinnkvantarvuga
elektroni, mis moodustavad elektronpaari.)
- Spinnkvantarv m(s) määrab ära elektroni
spinnoleku. Iseloomustab elektroni magnetilist momenti, näidates ära, kas
elektroni magnetmoment on magnetvälja suunaline või sellega risti. (J.
T.-T. Vastus)
NB! Pauli printsiip:
aatomis ei saa olla kahte täpselt ühesuguses energiaolekus asuvat (st.
Ühesuguste kvantarvudega) elektroni.
N on seotud orbitaali
suuruse ja energiaga, l kujuga ja ml orientatsiooniga ruumis.
2. Kirjutada välja Aufbau printsiibi
põhjal elemendi põhioleku elektronkonfiguratsioon ja -valem.
Aufbau printsiip ütleb, et orbitaalid hakkavad elektronidega täituma
alustades madalaima energiaga orbitaalist. Kõrgema energiaga orbitaal ei hakka
enne elektronidega täituma kui madalama energiaga orbitaal täis ei ole. Aufbau
printsiipi kasutatakse (koos Hund’i reegli ja Pauli printsiibiga) selleks, et
määrata aatomi, iooni või molekuli elektronkonfiguratsiooni.
Aatomite korral hakkavad nende alakihid täituma (mõningate eranditega)
järgmises järjekorras: 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d,
6p, 7s, 5f, 6d, 7p.
Molekulide korral kehtib Aufbau printsiip samuti – keemilisest sidemest osa
võtvad väliskihi elektronid täidavad molekulaarorbitaalid alustades madalaima
energiaga orbitaalist.
On aga ka elemente, mis ei allu Aufbau printsiibile. Kõik need elemendid
asuvad perioodilisustabeli d-plokis. Põhjus, miks see nii on, seisneb selles,
et poolikult- (5 elektroniga) ja täielikult (10 elektroniga) täidetud
d-alakihis elektroni hoidmiseks kulub aatomil vähem energiat kui madalama
energiaga s-alakihis hoidmiseks.
Erandid 4. perioodis:
|
Element
|
Z
|
Elektronkonfiguratsioon
|
|
Skandium
|
21
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d1
|
|
Titaan
|
22
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d2
|
|
Vanaadium
|
23
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d3
|
|
Kroom
|
24
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s1 3d5
|
|
Mangaan
|
25
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d5
|
|
Raud
|
26
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d6
|
|
Koobalt
|
27
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d7
|
|
Nikkel
|
28
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d8
|
|
Vask
|
29
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s1 3d10
|
|
Tsink
|
30
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10
|
|
Gallium
|
31
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p1
|
Erandid 5. perioodis:
|
Element
|
Z
|
Elektronkonfiguratsioon
|
|
Ütrium
|
39
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d1
|
|
Tsirkoonium
|
40
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d2
|
|
Nioobium
|
41
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s1 4d4
|
|
Molübdeen
|
42
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s1 4d5
|
|
Tehneetsium
|
43
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d5
|
|
Ruteenium
|
44
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s1 4d7
|
|
Roodium
|
45
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s1 4d8
|
|
Pallaadium
|
46
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 4d10
|
|
Hõbe
|
47
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s1 4d10
|
|
Kaadmium
|
48
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
|
|
Indium
|
49
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p1
|
Erandid 6. perioodis:
|
Element
|
Z
|
Elektronkonfiguratsioon
|
|
Iriidium
|
77
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p6 6s2 5d7
|
|
Plaatina
|
78
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p6 6s1 4f14 5d9
|
|
Kuld
|
79
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p6 6s1 4f14 5d10
|
|
Elavhõbe
|
80
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p6 6s2 4f14 5d10
|
|
Tallium
|
81
|
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
4s2 3d10 4p6 5s2 4d10
5p6 6s2 4f14 5d10 6p1
|
3. Selgitada, kuidas ja miks
muutuvad aatomiraadius, ionisatsioonienergia, elektronafiinsus ja
elektronegatiivsus perioodilisustabelis.
Aatomi raadius väheneb perioodilisuse tabelis vasakult paremale ja suureneb
ülevalt alla. Igas uues perioodis lisanduvad uued elektronid järjest
välimistele elektronkihtidele, mis asuvad aina kaugemal tuumast ja seetõttu
suureneb raadius ülevalt alla. Vasakult paremale väheneb raadius, sest siis
suureneb elektronegatiivsus, mis tõmbab elektrone tugevamingi tuuma suunas ja
seetõttu on aatom kompaktsem.
Esimene ionisatsioonienergia langeb perioodilisuse tabelis üldiselt ülevalt
alla. Samas kasvab perioodilisuse tabelis vaskault paremale. Järgmises
perioodis langeb tagasi madalamale väärtusele ja hakkab uuesti tõusma jne.
Ionisatsioonienergia on energia, mis kulub elektroni eelmaldamiseks
aatomist. Ionisatsioonienergia väheneb tüüpiliselt rühmas ülevalt alla, kuna
väliskihi elektronid asuvad tuumast järjest kaugemal ja on seetõttu tuumaga
nõrgemalt seotud. Vasakult paremale liikudes suureneb elektronegatiivsus,
mistõttu on elektronid tuumaga tugevamini seotud ja nende eemaldamiseks kulub
rohkem energiat.
Teine ionisatsioonienergia on alati kõrgem kui esimene, eriti veel, kui
elektron tuleb ära võtta sisemisest elektronkihist. Positiivse laenguga
aatomilt negatiivselt laenguga elektroni on raskem ära võtta kui neutraalse
laenguga aatomilt.
Elektronafiinsus on energia, mis eraldub või neeldub, kui elektron lisandub
aatomile. Suureneb tabelis ülesse paremale floori suunas. Elektronafiinsus
suureneb perioodilisuse tabelis ülesse paremale fluori suunas. Lisanduv
elektron maabub p-orbitaalis , mis asub tuuma lähedal ja on laengu poolest
sobilik. Väärisgaasidel on negatiivne elektronafiinsus, kuna elektron peab
hõivama orbitaali, mis asub väljaspool täidetud elektronkihti ja tuumast
kaugel. See nõuab lisaenergiat. Teise elektroni lisandumine nõuab samuti
lisaenergiat, kuna negatiivselt laentud aatomile tuleb liita veel üks
negatiivselt laetud elektroni ja nende vahel on tõukejõud.
4. Selgitada inertpaari efekti mõne
näite abil.
Inertpaari efekt on omadus moodustada ioone mille laeng on kahe võrra
väiksem valentselektronide arvust.
Õhus kuumutamisel moodustab tina tina(IV)oksiidi, aga plii aatom moodustab
kõigest plii(II)oksiidi, kui ta asub IVA rühmas.
Inertpaari efekt : omadus moodustada ioone, mille laeng on 2 võrra väiksem
valentselektronide arvust. Näiteks: In 4d10 5s2 5p1 seda ühte on lihtsam loovutada ja jääbki
siis kas In+ või In3+ samamoodi on Ga –miga.
5. Võrrelda kaheioonilise ühendi
suhtelisi kristallivõre energiaid.
Kristallivõre energia on energia, mida tuleb kulutada, et lõhkuda kristall
ja viia gaasifaasis (gaasis paiknevad) olevad ioonid üksteisest võimalikult
kaugetele positsioonidele. Näiteks NaCl ja KCl – NaCl kristallivõre energia on
suurem r(Na+) = 102 pm , r(K+) = 138 pm, r(Cl-)
= 181 pm. Na ja Cl tõmbab üksteise poole suurem energia, kuna nende energiate
vahe on suurem. See on nagu elektronegatiivsusega. Iooniline side on
küllastumatu.
6. Kirjutada välja Aufbau printsiibi
põhjal iooni elektronkonfiguratsioon ja -valem.
Põhimõtteliselt on kõik sama, mis muidu, kuid lõpp kaob ära ja selle asemel
tuleb, kas negatiivne või positiivne laeng. Kui aatom võtab elektrone juurde,
siis tal on miinus laeng, aga kui ta annab ära, siis tal on pluss laeng. Fe
võib ära anda kas kaks või kolm eletroni. Mittemetallid tavaliselt ei loovuta
elektrone, vaid võtavad juurde, millest tuleneb nende miinuslaeng.
7. Joonistada molekuli, radikaali ja
iooni Lewisi struktuur.
8. Joonistada molekuli, radikaali ja
iooni tähtsamad resonantsstruktuurid.
9. Kasutada erinevate
resonantsstruktuuride osakaalu hindamiseks formaalseid laenguid.
Formaalse laengu leidmiseks tuleb leida valentselektronide arv, mis
kuuluvad aatomile : igast sidemest kuulub aatomile 1 elektron; vabad
elektronpaarid kuuluvad täielikult aatomile. Laengu leidmiseks tuleb
valentselektronide arvust vastavas vabas aatomis lahutada sidemetes osalevate
elektronide ja vabade elektronpaaride arv. (valentselektronid – aatomi viimasel
kihil olevad elektronid)
10. Millised on ioonilise ja
kovalentse sideme põhilised erinevused? Ennustada, milline kahest sidemest on
kovalentsem / ioonilisem.
Kovalentne keemiline side on aatomite vaheline side molekulis, mis
moodustub ühiste elektronpaaride abil. Iga elektronpaari tekkeks on kaks võimalust: Kumbki
aatom annab ühe elektroni; Üks aatom (doonor) annab elektronpaari ja
teine aatom (aktseptor) annab vaba orbitaali. Tekkinud sidemed on
põhimõtteliselt ühesugused, seega pole mõistlik rääkida doonor-
aktseptorsidemest, vaid vastavast sideme tekkemehhanismist. Liigitatakse:
- Kovalentne
mittepolaarne side on kovalentse sideme liik, kus ühine elektronpaar
kuulub võrdselt mõlemale sidet moodustavale aatomile. Kov mittepolaarne
side tekib ühe ja sama elemendi aatomite vahe. Näiteks: O2 –
mõlema hapniku ümber on kuus elektroni (väliskihi elektronide arv ehk
valentskihi elektronid) ja tekib kovalentne mittepolaarne side, kus vabad
elektronid on keskel ja mõlema hapniku ümber on 8 elektroni. Mõlemad
ühinevad hapniku aatomid seovad ühiseid elektronpaare võrdse jõuga, kuna
aatomite tuumalaengud on võrdsed. Ioone ei teki, kuna ühine elektronpaar
kuulub võrdselt mõlemale aatomile.
- b)Kovalentne
polaarne side on aatomite vaheline keemiline side, mis tekib ühiste
elektronpaaride abil ja milles laengud osaliselt
Iooniline
side – on keemiline side, mis on vastasmõju erinimeliselt laetud ioonide vahel.
Iooniline side on suurima võimaliku polaarsusega side, kus laengud on
täielikult eraldunud. Moodustub metalli ja mittemetalli vahele. Omadused:
püsivad taked, lahustuvad, tahkes olekus ei juhi elektrit, kõrge
sulamistemperatuur.
- Iooniline side on metalli ja mittemetalli
vaheline side (metallioksiidid, soolad, hüdroksiidid)
- Molekule
tavatingimustes pole
- Tahkelt moodustavad
ioonilise sidemega ained ioonivõrega kristalle
- Elektrilised jõud on
tugevad, seega on ioonikristallidel kõrged, kuid mitte rekordilised,
sulamistemperatuurid (NaCl 8010C)
- Tahkes olekus on ioonid
seotud kristallivõresse, ega saa liikuda ja seetõttu on tegemist
isolaatoritega
- Sulatamisel või vees
lahustamisel, kristallivõre laguneb ja ioonid vabanevad ning tekkiv
vedelik juhib elektrivoolu.
11. Ennustada ja selgitada, kuidas
muutuvad aniooni polariseeritavus ja katiooni polariseeriv võime
perioodilisustabelis.
Suure raadiusega anioonid on kergesti polariseeritavad, st perioodis
paremalt vasakule ja rühmas ülevalt alla muutub aniooni polariseeritavus
kergemaks. Väikese raadiusega katioonid on tugeva polariseeriva jõuga/toimega.
Ühesõnaga rühmas alt üles ja perioodis vasakult paremale katiooni polariseeruv
jõud suureneb.
12. Ennustada ja selgitada suhtelist
sideme tugevust ja pikkust.
Tugevamale sidemele vastab suurem dissotsiatsioonienergia. Kaksikside on
alati tugevam kui üksikside samade elektronide vahel, kuid kaksikside on nõrgem
kui kaks üksiksidet.Vabad elektronpaarid seotud aatomitel tõukuvad ja seega
nõrgestavad sidet. Suuremate aatomiraadiuste korral on side nõrgem.
Sidemepikkus on kaugus seotud aatomite vahel. Kordsed sidemed on lühemad kui
üksiksidemed samade aatomite vahel. Tugevamad sidemed on reeglina lühemad.
13. Selgitada elektronide
omavahelise tõukumise abil sidemete paiknemise põhiideid VSEPRi teoorias.
Ennustamaks molekuli kuju , tuleb Lewis’i sidemete mudelile lisada üks
reegel: suure elektrontihedusega molekuli osad tõukuvad omavahel. (Suur
elektrontihedus on molekulis sidemetel ja vabades elektronpaarides). VSEPRI
teooria keskendub sidemete ja elektronpaaride paiknemisele tsentraalse aatomi
ümber. Ühe tsentri ümber olevad sidemed ja elektronpaarid tõukuvad ning
paiknevad seetõttu üksteisest võimalikult kaugel. Sidemete ja vabade
elektronpaaride arvu järgi saab antud tsentri ümber ennustada molekuli
ruumilist geomeetriat. Kordseid sidemeid käsitletakse sama moodi kui
üksiksidemeid ja kui ühendis on rohkem kui üks tsentraalaatom, siis käsitletakse
neid üksteisest sõltumatutena. Vabad elektronpaarid tõukuvad teistest
elektrontihedusega aladest tugevamini. VSEPRi teooria ennustab deformatsiooni
suunda aga mitte ulatust.
14. Ennustada elektronide paiknemist
ning molekuli või mitmeaatomilise iooni kuju valemi järgi, kasutades VSEPRi
teooriat.
Loeng 4
X – sidemed; E-vabad elektronpaarid
- Elektronpaar
surub sidemed alla poole. Kaheaatomilise molekuli korral kujust midagi
rääkida pole, eks ta sirge ole
- Kolmeaatomilised
võivad olla sirged või “nurgaga”
- neljaaatomilised AB3 tüüpi molekulid
on püramiidi kujulised (NH3 ., PCl3 …)
- Viieaatomilised lihtsamad molekulid on tetraeedri
kujulised ( CH4 , SiF4 ,) Suure sümmetria tõttu on
kõik AB4 molekulid tervikuna mittepolaarsed. On teada,
ka mõned tasapinnalised molekulid (näiteks kompleksanioon [PtCl4]2-)
VSEPRi
teooria keskendub sidemete ja
elektronpaaride paiknemisele tsentraals(et)e aatomi(te) ümber. Ühe tsentri
ümber olevad sidemed ja elektronpaarid tõukuvad ning paiknevad seetõttu
üksteisest võimalikult kaugel. VSEPRi teoorias käsitletakse kordseid sidemeid
samamoodi kui üksiksidemeid, s.t. ühe kõrge elektrontihedusega regioonina. Kui
molekulis on enam kui üks “tsentraalne aatom, siis käsitletakse neid üksteisest
sõltumatutena. Vabad elektronpaarid tsentraalse aatomi juures mõjutavad molekuli geomeetriat, kuigi molekuli
geomeetria kirjeldamiseks piisab vaid aatomite paigutusest. VSEPRi teoorias on
ka vaba elektronpaar või vaba paardumata elektron (radikaalis) kõrge
elektrontihedusega ala. Vabad elektronpaarid tõukuvad teistest
elektrontihedusega aladest tugevamini.
15. Ennustada molekuli polaarsust.
Ühine
elektronpaar(id) nihkub aktiivsema mittemetalli poole, see on suurema
elektronegatiivsuse poole. Selle tagajärjel
muutub side polaarseks, ühte otsa jääb negatiivne laeng ja teise ossa positiivne. Sidemel oleks nagu kaks poolust. Mida
suurem on elektronegatiivsuste vahe , seda suurem on elektronide nihe, seda polaarsem on side ja seda suuremad on osalaengud. Kuna elektronegatiivsuste vahe ei saa olla lõpmatult suur,
siis pole puhast ioonilist sidet tegelikult olemas. Polaarset sidet saab üsna hästi kirjeldada kovalentse (mittepolaarse)
ja ioonilise sideme kombinatsioonina. Näiteks võime ette kujutada, et HCl side on 13% iooniline ja 87% kovalentne H0,13+Cl0,13-. Enamasti ei märgita osalaengute arvulisi väärtusi ja kasutatakse nende tähistamiseks kreeka tähte “s igma” Hs+Cls-
muutub side polaarseks, ühte otsa jääb negatiivne laeng ja teise ossa positiivne. Sidemel oleks nagu kaks poolust. Mida
suurem on elektronegatiivsuste vahe , seda suurem on elektronide nihe, seda polaarsem on side ja seda suuremad on osalaengud. Kuna elektronegatiivsuste vahe ei saa olla lõpmatult suur,
siis pole puhast ioonilist sidet tegelikult olemas. Polaarset sidet saab üsna hästi kirjeldada kovalentse (mittepolaarse)
ja ioonilise sideme kombinatsioonina. Näiteks võime ette kujutada, et HCl side on 13% iooniline ja 87% kovalentne H0,13+Cl0,13-. Enamasti ei märgita osalaengute arvulisi väärtusi ja kasutatakse nende tähistamiseks kreeka tähte “s igma” Hs+Cls-
NB!!!
- CO2 O
= C = O molekul on sirge, seetõttu elektronide nihked kompenseerivad
üksteist ja ehkki sidemed on selgelt polaarsed, molekul tervikuna polaarne
ei ole. Sirged on sellised molekulid või molekulide osad,
milles on kolmikside, või milles on ühe aatomi juures kaks kaksiksidet.
- HOH molekulis elektronide nihked
ei kompenseeru ja vee molekul on
tervikuna polaarne.
- N2O ei ole mitte NON
vaid NNO ja tema ehitust võib lihtsustatult edasi anda, kui
:N- = N+ = O Kuigi molekul on sirge on ta ilmselt siiski polaarne – lisaks sirgele kujule on tal vaba elektronpaar , mis käitub sidemena.
Cis – polaarne, trans – mittepolaarne
(Polaarne – side kahe erineva mittemetalli vahel, mittepolaarne – kahe sama
elemendi vahel - SIDEME PUHUL)
Nurkjas kuju ja vaba elektronpaariga, siis on ta polaarne. Lineaarne
(kujult sirge) on mittepolaarne
16. Seletada molekuli struktuuri
hübriidsete orbitaalide, σ- ja π-sidemete kaudu.
Elektrontihedus, mis vastab sigma sidemele, paikneb mõlema vesinikutuuma
ümber (ja vahel) ning on sideme telje suhtes silindrilise sümmeetriaga.
Analoogiliselt toimub sigma-sideme moodustumine vesinikfluoriidis, kus osalevad
vesiniku 1s-orbitaal ja fluori 2pz-orbitaal. Lämmastiku aatomis on
kolm paardumata elektroni, mis asuvad 2p-orbitaalidel. Lämmastiku molekuli
moodustumisel kattuvad kaks pz-orbitaali sideme telje suunas ja
annavad sigma sideme. Ülejäänud px- ja py-orbitaalid
saavad kattuda ainult külgepidi, kuna on risti sideme telje suhtes. Orbitaalid
ekülgepidi kattumine annab pii-sideme, kus orbitaalid kattuvad kahes kohas –
ülal- ja allpool sideme tasandit (p-orbitaalil on sideme tasandis sõlmpind).
Pii-side on nõrgem, kui sigma-side, kuna orbitaalide kattumine on siin väiksem.
Üksikside on alati sigma-side; kaksikside on sigma-side ja pii-side; kolmikside
on 1 sigma-side ja 2 pii-sidet.
17. Nimetada molekulaarorbitaalide
(MO) teooria põhipostulaadid ja eelised Lewisi ja valentssidemete teooria ees.
Lewis’i teooria ei ole universaalne. Isegi koos nende täiendustega, mille
lisasid VSEPR ja valentssidemete teooria, ei suuda Lewis’i struktuur seletada
nähtusi, nagu elektrondefitsiitsete ühendite olemasolu või mitmete molekulide
paramagnetilisi omadusi. Nendele küsimustele leiti vastus molekulorbitaalide
(MO) teooria abil.
Peamine erinevus valentssidemete teooria ja molekulorbitaalide teooria
vahel seisneb selles, et kui valentssidemete teooria eeldab, et iga sidet
moodustav elektronpaar paikneb kahe omavahel seotud aatomi vahel, siis MO
teooria lähtub vastupidiselt hoopis sellest, et kõik valentselektronid kuuluvad
molekulile kui tervikule. MO teooria järgi paiknevad elektronid molekuli
ümbritsevatel molekulorbitaalidel ehk teisisõnu, elektronid on
delokaliseeritud.
Molekulorbitaalid tekivad aatomorbitaalide ühinemisel.
Molekulaarorbitaalideteooria eeldab, et elektronid ei paikne mitte
sidemetes, vaid MO-del, mis katavad kogu molekuli. MO-d saadakse liites
omavahel aatomite valentskihtide aatomorbitaalid. MO on seega
lineaarkombinatsioon molekuli aatomorbitaalidest. Nii moodustub vesiniku
molekulis sidemele vastav MO kui summa mõlema vesiniku 1s-orbitaalidest: ψ= ψA1s+
ψB1s . Nii saadud MO energia
on madalam kui kummagi tema moodustamiseks kasutatud aatomorbitaalil, kuna kahe
aatomi vahel toimub lainefunktsiooni
amplituudi kasv. Orbitaali, millele vastab energia langus nimetatakse
siduvaks orbitaaliks. N aatomorbitaali liitumisel moodustub N MO-d. Seega peab
kahe vesiniku 1s-orbitaalide liitumisel tekkima ka 2 MO-d. Teine neist vastab
aatomorbitaalide kattumisele eri faasides (eri märkidega): ψ= ψA1s- ψB1s .
Tulemuseks on MO, kus tuumade vahel on elektroni leidumise tõenäosus väiksem ja
orbitaali energia seega kõrgem. Sellist orbitaali nimetatakse lõhustuvaks.
Valentsidemete teooria ei seleta paardunud ja paardumata elektronide
omadusi. Lewis ei ole piisavalt täpne.
18. Koostada ja selgitada
homonukleaarsete kaheaatomiliste 1. ja 2. perioodi elementide ühendite
molekulaarorbitaalide energia diagramme.
Molekuli elektronstruktuuri kujutamiseks tuleb koostada kõik võimalikud
MO-d arvestades aatomorbitaalide ruumilist paiknemist.Elektronid paigutuvad
MO-dele nii, et esmalt täituvad madalama energiaga MO-d; igal MO-l võib olla
maksimaalselt 2 elektroni; mitme sama energiaga MO korral täituvad need algul
ühe paardumata elektroniga. S-orbitaalide kattumisel tekib kaks sigma MO-d
(siduv ja lõhustuv/lõdvestav). P-orbitaalide kattumisel tekib kaks sigma MO-d
ja 4 pii MO-d (2 siduvat ja kaks lõhustuvat/lõdvestavat.
NB! 2. perioodi aatomite Li...N korral on energeetiline järjestus järgmine:
2p(pii) < 2p(sigma)< kaks 2p(pii lõhustuv)< 2p(sigma lõhustuv). O ja F korral on järjestus
järgmine: 2p(sigma)< kaks 2p(pii) < kaks 2p(pii lõhustuv)< 2p(sigma
lõhustuv). Vastavalt MO teooriale ning valentskihi elektronstruktuurile on O2
molekulis 2 paardumata spinniga elektroni, mis seletabki tema
paramagneetilisust.
19. Kasutada molekulaarorbitaalide
(MO) teooriat, et selgitada metallide, isolaatorite ja pooljuhtide vahelisi
erinevusi.
Isolaator on aine mis ei juhi elektrit ega soojust. Ei tohi olla vabu
elektronpaare. Tahkes olekus ioonkristallid on isolaatorid.
Pooljuht on see, mis juhib vähesel määral.
Metallide puhul peab olema vaba elektronpaar.
MO teooria selgitab ka metallide ja pooljuhtide elektrilisi omadusi. (
Metallilise elektrijuhi juhtivus väheneb temperatuuri tõustes. Pooljuhi
elektrijuhtivus tõuseb temperatuuri tõustes ja on palju väiksem kui juhil.
Isolaator ei juhi elektrit. Ülijuht ei avalda voolule takistust.) Metallis
osalevad MO-de moodustamisel kõik aatomid. Tulemiseks on väga suur hulk MO-sid,
mis on energeetiliselt üksteisele väga lähedal, moodustades ühtse tsooni.Täielikult
täidetud MO-d moodustavad valentstsooni, tühjad ja osaliselt täidetud aga
juhtivustsooni. Kui valentstsoon ja juhtivustsoon pole energeetiliselt
eraldatud, on tegemist elektrijuhiga. Kui tsoonide vahe on suur (täidetud ja
tühjade Mo-de vahel on suur vahe) on tegu isolaatoriga. Pooljuhis on
valentstsoon ja juhtivustsoon lähedaste energiatega.
20. Kasutada ideaalgaasi seadusi, et
arvutada P, V, T või n väärtust antud tingimustel või peale tingimuste
muutumist.
PV=nRT
21. Leida molaarmass gaasi tihedusest
ja vastupidi.
n= V/Vm
n=m/M
Vm – 22,4 normaaltingimustes
(roo)=m/V
22. Arvutada reagentide mass või
ruumala, mis kulub reaktsiooniks gaasiga, kui on antud gaasi ruumala.
Reagendid on põhiaine lisaained, mis on vajalikud reaktsiooni toimumiseks.
HOMME
23. Arvutada gaasi osarõhud segus ja
segu kogurõhk.
vihikus
24. Selgitada efusiooni ja
difusiooni suhtelisi kiiruseid.
Difusioon on ühe aine liikumine (jaotumine) läbi teise aine, vähendamaks
kontsentratsioonierinevust erinevate ruumiosade vahel. Difusioon seletab
näiteks parfüümide ja feromoonide leikut neid eraldavate isendite ümber.
Efusioon on gaasi molekulide tungimine läbi väikeste avauste (pooride) madalama
rõhuga ruumiossa. Kostantsel temperatuuril on gaasi efusiooni kiirus
pöördvõrdeline tema molaarmassi ruutjuurega. Sama seos kehtib ka difusiooni
kiiruse kohta. Sellest võib järeldada, et gaasi molekuli keskmine kiirus on
pöördvõrdeline tema molaarmassi ruutjuurega. Eksperimentidest erinevatel
temperatuuridel ilmneb ka, et efusiooni ja seega ka gaasimolekulide keskmine
kiirus on võrdeline temperatuuri ruutjuurega: v2∞T/M
25. Kirjeldada temperatuuri mõju
gaasi molekuli keskmisele kiirusele.
Mida kõrgem temp, seda kiiremini liiguvad molekuli osakesed.
26. Nimetada ja selgitada gaaside
kineetilise mudeli eeldusi.
- Gaas on
molekulide kogum. Gaasi molekulid on pidevas juhuslikus liikumises.
- Gaasi molekule
võib vaadelda punktmassina (ideaalgaasi korral).
- Gaasi molekulid
liiguvad sirgjooneliselt, kuni nad põrkuvad.
- Ideaalgaasi
molekulid ei mõjuta üksteist, v.a põrkudes (puuduvad tõmbe-ja tõukejõud)
27. Kirjeldada molaarmassi ja
temperatuuri mõju molekulide kiiruste Maxwelli jaotusele.
Maxwelli kiiruste jaotusest järeldub, et samal temperatuuril on kergemate
(s.t. väiksemate molaarmassidega) molekulide kiirused suuremad ja ka laiema
jaotusega. Temperatuuri tõustes gaasi molekulide keskmine kiirus kasvab ja
jaotus laieneb. Väiksemate molaarmassidega molekulid liiguvad samal
temperatuuril kiiremini kui raskemate molaarmassidega molekulid.
28. Selgitada, mille poolest
erinevad reaalsed gaasid ideaalsetest gaasidest.
Ideaalgaas on punktmass, omavahelised põrked on elastsed. Reaalgaas ei ole
punktmass. Reaalsetel gaasidel on olemas tõmbe-ja tõukejõud, ideaalgaasidel
need puuduvad.(Gaasi molekulid tõmbuvad, kui nad on üksteisest mõne diameetri
kaugusel. Gaasi molekulid tõukuvad, kui nende elektronpilved satuvad kontakti.)
Reaalsed gaasid pole kergesti kokkusurutavad ning nad on veeldatavad, ideaalsed
gaasid ei ole veeldatavad. (Gaase saab veeldada neid kas kokkusurudes või
jahutades – madalatel temperatuuridel liiguvad gaasi molekulid nii aeglaselt,
et põrke tagajärjel võivadki kokku jääda – toimubki gaasi veeldumine.)
Punktmass on keha mille mõõtmed võib arvestamata jätta.
29. Nimetada tähtsamad
molekulidevahelised interaktsioonid ja selgitada nende sõltuvust
osakestevahelisest kaugusest.
- Ioon-ioon
interaktsioonid toimuvad ainult ioonide vahel, nende energia
kaugussõltuvus on pöördvõrdeline raadiusega (1/r). Ioon-ioon vastasmõju
kahaneb kauguse suurenedes kõige aeglasemalt.
- Ioon-dipool
interaktsioonid toimuvad ioonide ja polaarsete molekulide vahel, nende
energia kaugussõltuvus on pöördvõrdeline raadiuse ruuduga (1/r2).
Ioon-dipool vastasmõju kahaneb kauguse suurenedes kiiremini kui ioon-ioon
vastasmõju.
- Dipool-dipool e
orientatsiooni vastasmõju esineb dipoolmomendiga molekulide vahel (toimub
polaarsete molekulide vahel), energia kaugussõltuvus avaldub 1/r6,
sõltub temperatuurist.
- Dipool-indutseeritud
dipool vastasmõju esineb polaarsete ja apolaarsete molekulide vahel,
energia kaugussõltuvus avaldub 1/r6 . Ei sõltu temperatuurist.
- Dispersioonjõud
ehk Londoni jõud esinevad kõigi molekulide vahel ning sõltub tugevalt
molekulide suurusest, energia kaugussõltuvus avaldub samasuguselt
dipool-dipool vastasmõjule.
- Vesiniksideesineb
molekulid vahel, kus vesinik on vahetult seotud F, N või O-ga.
30. Ennustada ioon-dipool
vastastikmõju suhtelist tugevust.
Ioon-dipool interaktsioonid on palju nõrgemad kui ioon-ioon
interaktsioonid. Samas tagavad ioon-dipool interaktsioonid näiteks enamiku
soolade lahustuvuse vees. Mida väiksem on ioonraadius seda tugevamad on
ioon-dipool interaktsioonid. Väikese raadiuse ja suure laenguga ioonid on
sageli ka tahkes faasis hüdrateeriutud. Ioon-dipool vastasmõju kahaneb kauguse
suurenedes natuke kiiremini, kui ioon-ioon vastasmõju.
31. Selgitada, kuidas tekivad
Londoni jõud ja nende sõltuvust aatomi polariseeritavusest ning molekuli kujust
ja suurusest.
Londoni jõud on seda tugevamad, mida:
a) polariseeritavam on molekul
b) suuremate mõõtmetega on molekul
c) lineaarsem ehk mittesfäärilisem on molekul
Suurte mõõtmete ja paljude elektronidega molekulid on paremini
polariseeritavad sellepärast, et elektronide liikumist on omavahel kergem
korreleerida (laeng on rohkem delokaliseeritud). Kaks sfäärikujulist molekuli
ei mahu teineteise kõrvale nii hästi (ei saa suures ulatuses lähestikku
paikneda) kui kaks mittesfäärilist molekuli. Sfäärikujuliste molekulide
kokkupuutepind on väiksem.
32. Ennustada kahe ühendi
keemistemperatuuride suhtelist järjekorda, arvestades nende ühendite
molekulidevaheliste vastastikmõjude tugevust.
Keemistemp on neil madalam, mis annavad vähem vesiniksidemeid. Kõige
tugevam vesinikside on HF, järgneb OH ja siis NH.
Mida suurem raadius ja rohkem elektrone, seda kõrgem on keemistemperatuur.
Alkaanide puhul (ja ka teiste ühendite puhul) mida pikemad on ahelad, seda
kõrgem on nende keemistemperatuurid.
33. Teha kindlaks, kas antud ühend
võib anda vesiniksidemeid.
Vesinikside koosneb vesinikuaatomist kahe väikeste mõõtmete ja suure elektronegatiivsusega
aatomi vahel.
Vesiniksideme (H – side ) tekitavad 3 elementi –N, O, ja F- juhul,
kui nad on vahetult seotud vesiniku aatomitega.
( H – F vesinikfluoriidis, O – H vees, alkoholides…; N –H ammoniaagis, amiinides… sidemed)
H – side on oluliselt nõrgem kovalentsest sidemest . (vastavalt 200 - 600 ja 10 -20 kJ/mol )
( H – F vesinikfluoriidis, O – H vees, alkoholides…; N –H ammoniaagis, amiinides… sidemed)
H – side on oluliselt nõrgem kovalentsest sidemest . (vastavalt 200 - 600 ja 10 -20 kJ/mol )
H - Side
tekib seetõttu, et molekulis on tegemist väga
polaarsete sidemetega ja samal ajal on N,O ja F aatomid küllaltki pisikesed.
Vee molekulide vahel on vesiniksidemed, kui saavad tekkida vesiniksidemed
vee ja mingi teise aine molekulide vahel - siis sellised ained on enamasti vees
hästi lahustuvad Näiteks OH rühma sisaldavad alkoholid lahustuvad vees
paremini, kui aldehüüdid, mis sisaldavad H-C =O rühma (lihtsustatult –CHO)
Struktuurist on näha, et aldehüüdides puudub OH side ja
vesiniksidemete teke on võimatu. Etanool – CH3CH2OH on veega piiramatult segunev ja küllaltki kõrge keemistemperatuuriga (780) Etanaal – CH3CHO aga lahustub vees halvasti ja on ka hoopis kergemini lenduv (keeb 260) Loomulikult mõjutab orgaanilise aine lahustumist ka ülejäänud molekul – suur süsinikahel halvendab lahustuvust. Puskariõlides leiduv pentanool CH3CH2 CH2 CH2 CH2OH praktiliselt vees ei lahustu, aga viite hüdroksüülrühma sisaldav glükoos lahustub väga hästi, kuigi süsinikuaatomeid on isegi natuke rohkem CH2OH(CHOH)4- CHO
Kokkuvõttes
vesiniksidemete teke on võimatu. Etanool – CH3CH2OH on veega piiramatult segunev ja küllaltki kõrge keemistemperatuuriga (780) Etanaal – CH3CHO aga lahustub vees halvasti ja on ka hoopis kergemini lenduv (keeb 260) Loomulikult mõjutab orgaanilise aine lahustumist ka ülejäänud molekul – suur süsinikahel halvendab lahustuvust. Puskariõlides leiduv pentanool CH3CH2 CH2 CH2 CH2OH praktiliselt vees ei lahustu, aga viite hüdroksüülrühma sisaldav glükoos lahustub väga hästi, kuigi süsinikuaatomeid on isegi natuke rohkem CH2OH(CHOH)4- CHO
Kokkuvõttes
- H – sideme
tekkeks on vaja, et molekulis oleks HF , OH või NH sidemeid
- Vesiniksidemega
ained on kõrgemate keemistemperatuuridega, kui nende raskemad analoogid
- Vesiniksidemeid
tekitavad ained lahustuvad tavaliselt hästi vees
Vesinikside võib olla, ka molekulisisene sellised sidemed on
väga olulised biomolekulide struktuuri säilitajatena.Põhimõtteliselt on ka
geneetiline informatsioon DNA – s kirja pandud just vesiniksidemetega.
Vesiniksedeme tug kahaneb: HF, OH, NH
34. Kirjeldada vedeliku struktuuri.
Selgitada, kuidas viskoossus ja pindpinevus sõltuvad temperatuurist ja
molekulidevaheliste vastastikmõjude tugevusest.
Viskoossus ja pindpinevus on mõlemad põhjustatud molekulidevahelistest
interaktsioonidest. Voolamiseks peavad molekulid saama vabalt liikuda,
nendevahelised tõmbejõud toimivad aga vabale liikumisele vastu – tugevamate
interaktsioonidega vedelikud on viskoossemad. Viskoossus enamasti alaneb temperatuuri
tõustes. Viskoossust suurendavad vesiniksidemed. Nt alkohol on vesiniksidemete
tõttu viskoossem kui muud vedelikud. Vedeliku sees olevad molekulid on
(tõmbumis) vastasmõjus kõigist suundadest, pinnakihis olevad molekulid aga
mitte. Tulemuseks on, et pindmised molekulid tunnevad vedeliku sisse suunatud
tõmmet ja vedelik püüab omada minimaalset pinda. Tugevamad vastasmõjud
põhjustavad ka pindpinevuse kasvu. (Pindpinevus väheneb temp kasvades ja
viskoossus väheneb temp tõustes ja vedelik voolab paremini.)
35. Selgitada adhesiooni ja
kohesiooni. Tuua välja nende seosed ja erinevused.
Adhesioon toimub gaaside vahelisel piirpinnal, kohesioon gaaside sisemuses. Adhesioon on molekulaarjõududest (adhesioonijõududest) tulenev
eri materjalidest
kehade pindade või
eri tüüpi osakeste (molekulide või aatomite) üksteise külge kinnijäämine.
Adhesioonjõud – jõud vedeliku ja tahkise pinna vahel. Kohesioonijõud – jõud
vedeliku molekulide vahel.
36. Eristada metallilisi, ioonilisi,
molekulaarseid ja võrkstruktuuriga tahkiseid nende omaduste ja struktuuri
põhjal.
Kui temperatuur on nii madal, et molekulide kineetilisest energiast ei
piisa enam molekulidevahelise tõmbejõu ületamiseks, siis toimub vedeliku
tahkumine. Tahkis võib olla kristalne (molekulid, aatomid või ioonid paiknevad
ruumis korrapäraselt) või amorfne (paigutus ei ole korrapärane).
Kristalsetel tahkistel on tasased, siledad, üksteise suhtes kindlate
nurkade all paiknevad pinnad – tahud, mis on moodustatud korrapäraselt
paiknevatest aatomitest. Puhtad elemendid moodustavad kristalseid tahkiseid.
Metalsed tahkised ehk metallid koosnevad katioonidest, mida hoiab koos
elektrongaas. Ioonilised tahkised koosnevad ioonidest, mis tõmbuvad omavahel.
Molekulaarsed tahkised koosnevad molekulidest, mida hoiavad koos
molekulidevahelised jõud. Võrktahkised koosnevad omavahel kovalentselt seotud
aatomitest. (SiO2)
Ioonilisi tahkiseid saab modelleerida kui eri laenguga ja eri raadiusega
keradest koosnevaid. Sageli on nende struktuur lähedane tihedaimale pakendile,
kus suured anioonid moodustavad struktuuri, mille tühimikes paiknevad
katioonid. Ioonilised tahkised on tugevad, jäigad ja haprad.
Molekulaarsed tahkised: Molekulidest koosnevate tahkiste struktuur
peegeldab fakti, et molekulid ei ole sfäärilised, samuti on siin kristalli
kooshoidvad jõud suhteliselt väikesed. Seetõttu on nende sulamistemperatuurid
madalad ja sageli ei moodusta nad kristalle. Molekulaarsed tahkised on reeglina
vähem kõvad kui ioonilised tahkised. Neil on ka nõrgad London jõud. Igat
molekulaarset tahkist tuleb vaadelda eraldi (kas on polaarne, kas annab
vesiniksidemeid jne), kuna nad ei ole piisavalt sarnased, et teha üldisi
järeldusi.
Võrktahkised on reeglina kõvad ja jäigad materjalid kõrge
sulamistemperatuuriga ning vees lahustumatud. (Teemant, grafiit, keraamilised
materjalid)
37. Võrrelda sulamite struktuuri
puhaste metallidega.
Metallid:
- Tänu kiiresti
reorganiseeruvale elektrongaasile metallikatioonide ümber on metallid
sepistatavad ja venitatavad.
- Elektronide
liikuvus seletab ka metallide läiget: metallile langev valgus paneb
elektronid võnkuma endaga samas sageduses ja põhjustab uue, sama
sagedusega valguslaine kiirgamise.
Sulamid
- Sulamid on metalsed
materjalid, mis on kahe või enama metalli segud.
- Homogeensetes
sulamites on erinevate elementide aatomid jaotunud ühtlaselt.
- Heterogeensed
sulamid koosnevad eri koostisega kristalsetest faasidest. (Nende
struktuurid võivad olla erinevad.)
- Sulamite struktuur
on keerulisem, kuna aatomitel on erinevad raadiused.
- Asendussulamites
on komponentide raadiused lähedased ja struktuur lähedane puhastele
metallidele. (Asendussulami moodustamiseks ei tohi aatomite raadiused
erineda üle 15%)
- Kui üks sulami
komponentidest on teistest oluliselt väiksem, asub ta suurema kristali
tühimikesse ja moodustub sisestussulam. (Sisestussulami komponentide
raadiuste erinevus ca 60%)
38. Teha kindlaks, mis tüüpi
vedelkristalliga on tegemist.
Tüübid: nemaatiline faas – molekulid orienteeritud samas suunas. Smektiline
faas – paiknevad lisaks samale suunale ka täpselt kõrvuti. Kolesteeriline faas
– paralleelselt orienteeritud kihid üksteise suhtes pööratud (nagu lehed
üksteise peal).
39. Infrapunase spektroskoopia kasutamine: milleks
ja kuidas?
Spektroskoopia
on meetod aatomite
ja molekulide
iseloomustamiseks nende poolt neelatud, hajutatud ja kiirgunud elektromagnetilise kiirguse pôhjal.
Infrapunane
spektroskoopia (IP) uurib neeldumis- ja kiirgamisspektreid infrapunases piirkonnas.
Peale pigmendi ja täiteaine analüüsi on võimalik IR sp tõhusalt teostada ka
sideaine uuringuid. IR sp abil saab tuvastada erinevaid õlisid, vahasid, vaike
ja teisi orgaanilisi materjale, mis on vanemate objektide puhul väga levinud
sideained, samuti kaasaegsemaid materjale (nagu alküüdvaigud, polüvinüülatsetaat
(PVAC), polüvinüülalkohol (PVAL) jt).
IR sp on eriti hea, kui kasutada seda kombineeritult teiste meetoditega.
40. UV-Vis spektroskoopia
kasutamine: milleks ja kuidas? Nimetada tähtsamad UV-Vis spektrites esinevad
neelavad rühmad ja neile vastavad elektronüleminekud.
Loeng 5
Kasutatakse pigmentide analüüsil. Pm on see meetod rakendatav ka
täiteainete ja sideainete analüüsiks, kuid need omavad neeldumist
põhimõtteliselt uv spektrialas, kus erinevaid neelavaid rühmi on palju. Kuna
uv-vis spektrijooned on küllalt laiad, esineb joonte ulatuslik kattumine ja
spekter on segude korral sisuliselt mitteinterpreteeriv.
Saab identifitseerida ainet ja kasutatakse konsentratsiooni määramiseks.
41. Röntgendifraktsioonanalüüsi
kasutamine: milleks ja kuidas?
RDA on eelkõige tahkiste uurimiseks, et kristalli kohta infot saada.
No comments:
Post a Comment